Zitierungen von § 4 HalblSchG

... 4 und 7 sowie § 10 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, in § 3 Abs. 3 sowie in § 4 Abs. 4 des Halbleiterschutzgesetzes in Verbindung mit § 10 Abs. 2 des ...

... 31 Abs. 1 Satz 1 des Patentgesetzes, § 8 Abs. 5 Satz 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 3 des Halbleiterschutzgesetzes in Verbindung mit § 8 Abs. 5 Satz 2 des ...

... nach § 30 Abs. 3 des Patentgesetzes, § 8 Abs. 4 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 2 des Halbleiterschutzgesetzes in Verbindung mit § 8 Abs. 4 des Gebrauchsmustergesetzes, § 27 Abs. 3 des Markengesetzes ...

... Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes in Verbindung mit § 52 Abs. 2 des Patentgesetzes oder nach § 4 Abs. 4 des Halbleiterschutzgesetzes in Verbindung mit § 9 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes und § 52 Abs. 2 des ...

... Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes in Verbindung mit § 52 Abs. 2 des Patentgesetzes oder nach § 4 Abs. 4 des Halbleiterschutzgesetzes in Verbindung mit § 9 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes und § 52 Abs. 2 des ...

... kennzeichnen will, kann der Eintragungsantrag entsprechende Angaben enthalten ( § 4 Abs. 3 des Halbleiterschutzgesetzes ...

... für die Akteneinsicht in Löschungs-, Rechtsgültigkeits- und Verletzungsverfahren ( § 4 Abs. 3 Satz 1 des Halbleiterschutzgesetzes ), das Zweitexemplar für die allgemeine Akteneinsicht zur Verfügung ...

... § 66 MarkenG in Verfalls- und Nichtigkeitsverfahren, 4. gemäß § 4 Abs. 4 Satz 3 HalblSchG i.V.m. § 18 Abs. 1 GebrMG gegen die Entscheidung der Topografieabteilung, 5. ...

... (§ 97 Absatz 5 Satz 2 des Patentgesetzes, § 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes , § 81 Absatz 5 Satz 3 des Markengesetzes, § 23 Absatz 4 Satz 4 des Designgesetzes); ... einzureichen (§ 125 Abs. 1 des Patentgesetzes, § 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes ); 7. die Aufforderung zur Benennung eines Vertreters nach § 25 des Patentgesetzes, ... Verbindung mit § 99 Abs. 1 des Patentgesetzes, § 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes , § 82 Abs. 1 des Markengesetzes, § 23 Absatz 4 Satz 4 des Designgesetzes; 10. ... Verbindung mit § 99 Abs. 1 des Patentgesetzes, § 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes , § 82 Abs. 1 des Markengesetzes, § 23 Absatz 4 Satz 4 des Designgesetzes; 11. ... 50, 99 Abs. 3 des Patentgesetzes, §§ 9, 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes , § 82 Abs. 3 des Markengesetzes, § 23 Absatz 4 Satz 4 des Designgesetzes);  ... 99 Abs. 1, § 109 Abs. 3 des Patentgesetzes, § 18 Abs. 2 des Gebrauchsmustergesetzes, § 4 Abs. 4 Satz 3 des Halbleiterschutzgesetzes , § 71 Abs. 5, § 82 Abs. 1, § 90 Abs. 4 des Markengesetzes, § 23 Absatz 4 und 5 ...

...  § 4 Absatz 3 des Halbleiterschutzgesetzes vom 22. Oktober 1987 (BGBl. I S. 2294), das zuletzt durch Artikel 6 ...

... (BGBl. I S. 1474) geändert worden ist, wird wie folgt geändert: 1. In § 4 Absatz 2 wird die Angabe „(§ 8 Abs. 2 bis 4)" durch die Wörter „sowie ...

... § 4 Absatz 3 Satz 1 des Halbleiterschutzgesetzes vom 22. Oktober 1987 (BGBl. I S. 2294), das zuletzt ...

... § 66 MarkenG in Verfalls- und Nichtigkeitsverfahren, 4. gemäß § 4 Abs. 4 Satz 3 HalblSchG i.V.m. § 18 Abs. 1 GebrMG gegen die Entscheidung der Topografieabteilung, 5. ...

... durch die Wörter „Deutsche Patent- und Markenamt" ersetzt. 2. § 4 wird wie folgt geändert: a) In Absatz 1 wird das Wort „Patentamt" ...